Samsung je napovedal, da bo začel množično proizvajati 512 GB prostora za shranjevanje eUFS 3.0. To bi bilo prvo za mobilno industrijo, saj vsi ostali pametni telefoni trenutno še vedno uporabljajo pomnilniške čipe eUFS 2.1. Na žalost bodo ti čipi uporabljeni v ‘naslednji generaciji pametnih telefonov’ in jih v novih napravah serije S10 ne bo. Govori se pa, da bi Samsung morda predstavil pomnilniške čipe v novi napravi Samsung Galaxy Fold.
To je izjavil podpredsednik prodaje in trženja pomnilnika pri Samsung Electronics Cheol Choi 'Začetek množične proizvodnje naše linije eUFS 3.0 nam daje veliko prednost na trgu mobilne telefonije naslednje generacije, ki ji prinašamo hitrost branja iz pomnilnika, ki je bila prej na voljo le v izjemno tankih prenosnikih.'
512 GB eUFS 3.0 bo imel osem 5-GB 512 GB V-NAND matrice in bo imel tudi visoko zmogljiv krmilnik. Pričakuje se hitrost branja do 2.100 MB / s, kar bo več kot dvakrat hitreje od trenutnih čipov eUFS 2.1. Novi čipi naj bi bili glede zmogljivosti shranjevanja tako hitri kot nedavni ultra tanki prenosniki. Po drugi strani pa naj bi bile hitrosti zapisovanja približno 410 MB / s, kar bi ga uvrstilo v enako območje hitrosti kot SSD diski SATA. Poleg tega se je povečalo tudi število vhodnih / izhodnih operacij na sekundo (IOPS), ki je izvedlo 63.000 IOPS z naključnim branjem in 68.000 IOPS z naključnim pisanjem. S temi hitrostmi lahko film Full HD prenesete s pametnega telefona na prenosni računalnik v samo 3 kratkih sekundah.
eUFS 3.0
To bo nedvomno pritiskalo na konkurente, da bodo v prihodnje telefone dodali pomnilniške čipe eUFS 3.0. Zato lahko pričakujemo, da bo kmalu več podjetij sprejelo standard.
Oznake samsung
